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[国外] IBM搞定多位封装 相变存储再近一步[1P]

w2009123456789

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1楼 大 中 小 发表于 2011-6-30 19:08  只看该作者
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IBM搞定多位封装 相变存储再近一步[1P]

IBM的研究人员们近日再次得出丰硕成果，攻克了相变存储(PCM)的一大难题：多位封装。

相变存储技术已经开发了很多年，但是一直被局限在每单元一比特数据上，也就是1 bit-per-cell(1bpc)，这样自然难以大幅提升容量、降低成本。

IBM最近终于完成了一颗多位PCM试验芯片，采用90nm CMOS工艺制造，不但读写速度高于普通NAND闪存，写入循环寿命也高达惊人的1000多万次。相比之下，目前最先进的25nm MLC NAND闪存只能坚持大约3000次就会挂掉(事实上34nm工艺的还要稍好些)。

另外，IBM这种多位PCM芯片的写入延迟最差也有10微秒左右，比当前最先进的闪存快100倍。

不过IBM并未透露他们在一个单元内封装了多少个比特位，而且要看到这种新技术的量产，至少还得等四五年。

[img]http://news.mydrivers.com/Img/20110630/04115016.jpg[/img]

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2楼 大 中 小 发表于 2011-7-6 16:32  只看该作者
ibm威武啊，这个东西出世是不是意味着ssd将在5年后真正进入寻常百姓家？这是对pc的一次划时代性提升

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lhy_1

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3楼 大 中 小 发表于 2011-7-6 16:58  只看该作者
这样的东西现在也就是看看，要想真的让老百姓用到恐怕还要有一段时间啦！不过值得期待！

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555xihe3

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4楼 大 中 小 发表于 2011-7-6 17:12  只看该作者
IBM说了在2015年前没有任何投入实际应用的计划，我们是等不及了

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