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iPhone 6内部芯片揭秘 拍摄组件索尼制造[5P]

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随着专业拆解机构iFixit对苹果iPhone 6和iPhone 6 Plus的完全拆解，新一代iPhone的内部构造已经大白于天下。而现在，国外专业网站ChipWorks则又照例开始了他们对iPhone 6和iPhone 6 Plus内部芯片的剖析图，并为我们逐一解密了两款iPhone 6所使用的芯片型号和特色。

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[b]NFC芯片揭秘[/b]

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NFC功能是此次两款iPhone 6加入的新功能，并且从此次拆解的图片来看，确实是采用了NXP的方案。至于芯片表面上的编号“65V10”，则可以完全确定是NXP PN548，据称是NXP专为苹果设计的型号。同时从内核上的编号来看，这块芯片在2012年便已经设计完成，而且在第二层模具上方出现了一些神秘的密集金属层，但是否为NFC芯片的安全元素装置，目前还没有确切的信息。

不过，此次两款iPhone 6的加速计和陀螺仪并未如过去那样采用法半导体的芯片，而是使用了InvenSense公司的解决方案，具体的型号为MP67B。此外，两款iPhone 6并未发现电子罗盘，并且苹果似乎采用了两个加速计。具体来说，就是在InvenSense MPU7传感器旁边还装载了一个2×2毫米的博士传感器，但目前同样不清楚苹果此举的目的所在。

[b]A8处理器[/b]

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而在大家最关注的处理器方面，两款iPhone 6所采用的A8芯片按照官方的说法，内置20亿个晶体管（是A7的两倍），并采用了台积电的20纳米制程，但体积大小要比A7芯片缩小了13%。同时A8芯片在CPU处理速度图形性能上都有大幅的提升，并且能耗方面的表现也较之A7有50%的降低。

与以往iPhone的SOC部分一样，两款iPhone 6也是由处理器、内存PoP封装在一起，上面为内存，下面则为A8芯片。而从拆解后得到的信息来看，A8的零件编号为APL 1011，改变了以往“98”为后缀的传统模式（A4 APL0398、A5 APL0498、A6 APL0598、A7 APL0698）。而封装在上面部分的DRAM确实为1GB，整个芯片的日期代码为1434，所代表的含义是今年八月份制造出品。除此之外，由于A8芯片的芯片的图形处理能力增强，产生的热量更多，所以此次采用了三排焊接技术。

[b]iSight和FaceTime 摄像头[/b]

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而摄像头模块方面，此次iPhone 6 和iPhone 6 Plus所配的800万像素iSight摄像头存在一定的差异，但都采用相位检测自动对焦（AF）系统，据称自动对焦速度要比上一代快两倍，并且还能够录制30/60fps的1080p视频，甚至慢速录像能达到240帧。此外，iPhone 6 Plus还添加了光学图像稳定（OIS）系统，其摄像头模块的尺寸为10.6×9.3×5.6毫米，由索尼制造，采用 Exmor RS背照式CMOS图像传感器，具有1.5µm的像素面积，传感器部分的尺寸为4.8×6.1mm。

不过，两款iPhone 6的FaceTime摄像头仍然为120万像素，但镜头光圈增大了，可增加80%的进光量。至于其他芯片方面，iPhone 6和iPhone 6 Plus都采用的是德州仪器DRV2604触觉驱动器，也就是俗称的振动马达。而两款机型上所使用的高通包络追踪芯片QFE1100则已经有超过16款机型采用，其中还包括三星GALAXY系列。

SONY在消费品领域是不行了，但是技术还在，做芯片供应商还是很有竞争力的