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Intel正式發佈34nm新工藝固態硬盤 降價60％

Intel正式發佈了全球首批基於34nm MLC NAND閃存新工藝的固態硬盤。從50nm進化到34nm，從技術角度上是更小的核心面積和更高級的工程設計，對消費者來說則是更低的價格：新舊產品之間的差價幅度最高超過60％。


首批34nm固態硬盤只有2.5吋主流系列X25-M，容量仍保持在80GB和160GB，但改用了新的控制器和固件，性能因此大有提升，比如讀取延遲從85微秒縮短到65微秒，寫入延遲從115微秒縮短到85微秒，4KB隨機讀取IOPS35000、寫入 6600(80GB)/8600(160GB)，抗衝擊力也從1000G/0.5s提高到1500G/0.5s，不過持續讀寫速度仍為250MB/s和 70MB/s。

至於功耗，可能會讓大家失望了。34nm X25-M的負載功耗保持150mW不變，但因為新控制器的緣故，待機功耗從60mW增加到了75mW，不過新控制器對環保也不是沒有貢獻，至少已經消除了原來使用的鹵素，或許能因此得到蘋果的採納了。

34nm X25-M 80/160GB產品編號SSDSA2MH080G2/SSDSA2MH160G2，建議零售價225/440美元，比起一年前發佈的50nm版本的595/945美元分別降低了62％和53％。廉價固態硬盤時代也許就在不遠的前方。

新工藝版1.8吋規格X18-M系列將在本季度晚些時候出貨，但320GB大容量版本何時發佈尚不清楚，另外企業級X25-E何時升級新工藝也不得而知。

Intel還計劃在未來發佈新版固件，支持Windows 7 Trim優化命令，並提供終端用戶工具，用於優化固態硬盤在Windows XP/Vista之下的性能。

今天對比的兩款X25-M都是160GB容量，但內部構造大為不同。50nm X25-M G1 PCB正反兩面各安裝了10顆MLC NAND閃存芯片(編號「29F64G08FAMC1」)，單顆容量8GB，而34nm X25-M G2的單顆芯片容量翻番到了16GB(編號「29F16B08JAMD1」)，因此只在正面安裝了10顆，背面留空。很顯然，一旦Intel和美光聯合投資的34nm NAND生產線完全開工，Intel就可以再放上去10顆芯片，推出320GB型號。
裝有控制器的正面大同小異，但X25-M G1在閃存芯片和控制器周圍使用的黑膠狀物體也不見了，但還不清楚這東西的具體用途，可能是一種保護措施，也可能是輔助散熱手段。
X25-M G2使用了新控制器，編號從「PC29AS21AA0」改為「PC29AS21BA0」，不過物理封裝沒有任何變化。
板載緩存變化不小，之前用的是三星16MB 166MHz SDRAM (CAS3)，現在則改成了美光32MB 133MHz SDRAM (CAS3)。很奇怪，容量上去了，速度卻下來了。
衡量固態硬盤性能的指標一般有四個，隨機讀取、隨機寫入、持續讀取和持續寫入，其中前兩項表現在大量小文件(比如4KB)的處理上，後兩項則對應大文件處理(比如藍光電影)。一塊優秀的固態硬盤必須在這四方面都表現不俗，但事實上很難，大多都是只有部分指標很好，

持續寫入速度：這個一直是MLC NAND閃存型的X25-M和(X18-M)系列的軟肋，新款提升了7％，但仍遠遠落後於其他固態硬盤，即使相比西部數據VelociRaptor 300GB也相差甚遠。
不過另一方面，SLC NAND閃存型的企業級X25-E 64GB的成績是最好的。

小結：

第一代50nm X25-M發佈之初就給我們留下了深刻的印象，成為固態硬盤領域的一個標竿，現在升級到34nm之後更是有了近乎全面的提升(0-40％)，拉大了與同類產品的距離。唯一遺憾的就是持續寫入性能依然太弱，連機械硬盤都趕不上。
當然這裡只是理論性能測試，實際應用中根據環境不同估計提升幅度會在0-10％。

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没见降价啊，早就对固态硬盘垂涎三尺了，我觉得用固态硬盘做系统盘，然后用普通硬盘存储多媒体等比较大的数据，这样性能和价格都能比较好的兼顾了

:teeth 普及固态是大势所趋，世界硬盘第一估计迟早是东芝和三星两大家之争了！！！

intel和amd的闪存也是非常不错的,而且intel的资金规模绝对雄厚.完全不存在没有钱,建不起生产线的说法.

期望intel早日集成,最终将cpu内存硬盘等等集成到一块芯片上面.